财联社7月13日讯（编辑 卞纯） 周一，不及预期韩国存储芯片巨头SK海力士股价遭遇重挫，海力跌幅超过15%，士暴商这一剧烈波动不仅拖累韩国股市触及熔断机制，跌原到韩更引发亚洲存储板块集体下挫。因找Q盈市场普遍认为，国券韩国本土券商韩国投资证券（KIS）当日发布的利或最新研报成为了此次股价崩盘的直接导火索。

核心诱因：盈利预测低于市场共识

KIS在最新报告中指出，不及预期SK海力士今年第二季度（Q2）的海力营业利润预计将略低于市场普遍预期。

尽管该行强调，士暴商这一调整仅是跌原到韩将高带宽内存（HBM）长期供应协议（LTAs）纳入考量后的正常化修正，并不代表行业整体增速放缓，因找Q盈但数据本身的国券落差仍引发了市场的剧烈反应。

具体业绩预测数据

KIS对SK海力士Q2的利或业绩给出了如下预测：
* 营收：80.9万亿韩元（环比增长54%，同比增长264%）
* 营业利润：60.4万亿韩元（环比增长61%，不及预期同比增长556%）

尽管上述同比和环比数据看似亮眼，但60.4万亿韩元的营业利润预测比市场共识预期的65万亿韩元低了约8%。这一细微的差距引爆了投资者的担忧情绪，导致股价大幅跳水。

深度解析：为何HBM占比高反而拖累利润率？

KIS在报告中深入解释了这一现象背后的逻辑：SK海力士的HBM营收占比高于竞争对手，导致其平均售价（ASP）的涨幅低于市场平均水平。

• HBM定价机制：HBM通常通过长期供应协议（LTA）锁定价格，因此短期内不会随现货市场行情大幅波动。
• 传统存储产品：相比之下，当市场整体涨价时，传统DRAM和NAND闪存的ASP涨幅更为显著。

由于SK海力士在HBM领域的敞口更大，其在近期传统存储芯片涨价周期中受益程度相对较小，从而拉低了整体ASP涨幅。

未来展望：HBM4量产将重塑估值逻辑

尽管短期预测下调，KIS对SK海力士的中长期前景仍持乐观态度：

1. ASP涨幅回归：随着预计于今年第三季度正式量产的HBM4投入市场，SK海力士的平均售价涨幅有望回归至市场平均水平。
2. 存储价格上涨：KIS预测，Q2期间DRAM和NAND闪存的平均售价将分别环比上涨约30%和50%。
3. 估值逻辑重塑：随着存储行业转向三至五年的长期供货协议，企业价值将更多取决于高盈利能力的可持续性，而非单纯的季度ASP增速。长约虽限制了价格的爆发力，但也提升了获利的稳定性，降低了行业固有的波动性。

基于此，KIS将SK海力士今明两年的营业利润预测分别较此前下调了9%和11%，但强调这反映的是价格预估的正常化调整，而非盈利能力恶化。

• 评级维持：KIS维持对SK海力士的“增持”评级，目标价定为380万韩元。
• 利润率新高：预计Q2整体营业利润率将达到74.6%的历史新高，并在此后逐季攀升。

市场反应：获利了结与预期落空叠加

尽管KIS强调报告并不意味企业盈利恶化或行业增速放缓，但投资者对Q2营业利润“不及预期”极为敏感，纷纷抛售股票。

截至周二收盘：
* SK海力士股价：大跌15.37%，报184.5万韩元，较上月创下的历史高点回落近四成。
* 韩国KOSPI指数：大跌近9%，报6806.93点。

其他因素：获利了结与HBM4放量担忧

另有分析师将此次大跌归因于获利了结及HBM4出货量不及预期。

上周，SK海力士登陆美股，上市首日股价飙升12.8%。韩国券商NH投资证券（NH Investment & Securities）资深分析师Ryu Young-ho指出：
1. 获利了结压力：SK海力士完成美国挂牌后，前期获利盘涌出。
2. HBM4放量延迟：市场原本预期HBM4芯片出货量将从Q2开始大幅增加，但目前看来并未实现大规模放量。
3. 竞争格局影响：由于SK海力士相较竞争对手三星电子在HBM市场的敞口更大，在传统DRAM涨价周期中受益较少，投资者因此下调了获利预期。

（财联社 卞纯）