财联社7月10日讯（编辑 黄君芝）全球存储芯片市场刚刚迎来史上最强单月表现，存储持续且优势显著。芯片下历据瑞银集团（UBS）7月发布的月销应缺《存储芯片月度报告》显示，当月销售额飙升至创纪录的量创746亿美元，环比大幅增长31.7%。史新

瑞银指出，高供在人工智能（AI）需求持续爆发及长期供应协议（LTA）谈判推进的口料双重驱动下，存储芯片市场周期正“进一步趋强”，至年结构性供应短缺局面预计至少将持续至2028年中期。存储持续

细分市场深度解析

整体繁荣背后，芯片下历各细分领域表现强劲：

• DRAM（动态随机存取存储器）：占据内存市场主导地位，月销应缺销售额约480亿美元，量创环比增长27.7%。史新
• NAND闪存：表现尤为抢眼，高供环比飙升40.7%，口料创下258亿美元的历史新高。

作为固态硬盘和数据中心存储的核心介质，NAND闪存的需求随着AI训练与推理工作负载的激增而呈爆炸式增长。

未来收入预测与HBM驱动

瑞银对行业收入前景持极度乐观态度：

• 2026年：预计存储芯片行业全年总收入将达到9920亿美元。
• 2027年：预计总收入将接近翻倍，达到1.76万亿美元。

这一增长的核心引擎是高带宽内存（HBM），一种专为英伟达等AI加速器设计的DRAM产品。瑞银预测：
* 2026年：HBM需求同比增长90%，达到约331亿Gb。
* 2027年：需求再增77%，达到约587亿Gb。

受益巨头与价格趋势

内存价格上涨周期中，美光科技、三星电子及SK海力士三大巨头将成为主要受益者，这三家企业合计掌控了全球DRAM和NAND闪存供应的绝大部分份额。

瑞银上调了价格预测，认为云计算巨头对AI基础设施的持续投资将支撑需求，结构性短缺至少延续至2028年中：

• DDR合约价格：预计2026年Q3环比上涨32%，Q4再涨18%。
• NAND闪存价格：预计Q3上涨30%，Q4上涨12%。

供需失衡将持续

瑞银强调，至少在2028年第二季度前，DRAM行业仍将面临结构性供应不足。其核心逻辑在于：预计2027年DRAM需求同比增长36.2%，远超供应端19.3%的增速。

潜在风险因素

尽管前景看好，瑞银也坦承存在不确定性，主要风险来自：

1. 客户承受能力：下游厂商对高价内存的消化能力。
2. AI资本支出的可持续性：超大规模数据中心运营商的后续支出意愿，而非单纯的供应量，才是决定本轮上行周期能否持续的关键变量。

（财联社 黄君芝）