7月8日，英特英特尔最新公开的尔专专利申请揭示了一项突破性技术——XBM（Cross-Batch Memory，跨批次内存）架构。利曝该方案旨在通过彻底重构内存堆叠方式，光新硅中绕开传统HBM对硅中介层（Silicon Interposer）的内存拟绕内存依赖，从而大幅降低先进封装成本，架构介层降低并有效缓解AI芯片面临的成本“内存墙”瓶颈。

核心技术亮点

• 摒弃硅中介层：XBM架构创新性地取消了HBM所需的英特昂贵硅中介层，转而采用后端晶体管（BEOL）DRAM堆叠设计。尔专这一改变不仅简化了制造流程，利曝还显著降低了封装复杂度与成本。光新硅中
• UCIe互连技术：借助英特尔主导的内存拟绕内存UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）标准，XBM实现了芯片间的架构介层降低高效互连，确保在高带宽需求下仍能保持稳定的成本数据传输性能。
• 内置冗余修复机制：针对DRAM堆叠中常见的英特缺陷问题，XBM集成了内置冗余修复机制。这一设计能够自动识别并隔离故障单元，从而提升整体良率，保障大规模量产的可行性。

性能与可扩展性

尽管去除了硅中介层，XBM在封装尺寸上仍能与HBM4保持相近水平，确保了其在现有服务器和AI加速器中的兼容性。更重要的是，该架构具备更高的可扩展性，能够灵活适应不同算力需求的AI应用场景。

行业意义

随着AI大模型对内存带宽和容量的需求呈指数级增长，传统HBM架构因高昂的封装成本成为制约普及的关键因素。英特尔XBM架构的提出，为行业提供了一条低成本、高良率、高性能的新路径，有望加速AI内存技术的迭代与普及。